Samsung เริ่มส่งมอบชิปหน่วยความจำ HBM4E 12 เลเยอร์ ให้ลูกค้าทดสอบแล้ว เป็นรายแรกในอุตสาหกรรม

Samsung เริ่มส่งมอบชิปหน่วยความจำ HBM4E 12 เลเยอร์ ให้ลูกค้าทดสอบแล้ว เป็นรายแรกในอุตสาหกรรม Body ซัมซุงประกาศว่าเริ่มส่งมอบชิปหน่วยความจำขั้นสูง HBM4E แบบ 12 เลเยอร์ ให้กับลูกค้าเพื่อนำไปทดสอบแล้ว ซึ่งระบุว่าเป็นรายแรกในอุตสาหกรรม หลังจากเริ่มจัดส่ง HBM4 แบบจำนวนมากให้ลูกค้าเมื่อต้นปี ชิป HBM4E ของซัมซุงรองรับการส่งข้อมูลที่ระดับ 14 Gbps และปรับให้สูงสุดได้ถึง 16 Gbps เพิ่มขึ้นมากกว่า 20% จากชิป HBM4 แบนด์วิธหน่วยความจำต่อสแต็กอยู่ที่ 3.6 TB/s ความจุ 48GB และเตรียมขยายตัวเลือกให้ครอบคลุมทั้งแบบ 8 เลเยอร์ 32GB และ 16 เลเยอร์ 64GB ส่วนประสิทธิภาพการจัดการพลังทำได้ดีขึ้น 16% HBM4E ใช้กระบวนการผลิตแบบรุ่น 6 ขนาด 10 นาโนเมตร มีฐานเป็นชิปลอจิกเทคโนโลยี 4 นาโนเมตร ที่มา: ซัมซุง arjin Sat, 30/05/2026 - 14:27