{
  "$type": "site.standard.document",
  "bskyPostRef": {
    "cid": "bafyreigww3actqcs4esyeleokcrn7ldgmlqlj4z6nlyaaqngqgxslketra",
    "uri": "at://did:plc:46dtqwuc6bckm3ewbfuqlnxt/app.bsky.feed.post/3mn2v6kvqnzn2"
  },
  "coverImage": {
    "$type": "blob",
    "ref": {
      "$link": "bafkreiaknylo5xrpojz2hvwim5rurbbzfs5ypajsaroexqqs7jg2yuxece"
    },
    "mimeType": "image/jpeg",
    "size": 35611
  },
  "path": "/node/150728",
  "publishedAt": "2026-05-30T07:27:00.000Z",
  "site": "https://www.blognone.com",
  "tags": [
    "จัดส่ง HBM4 แบบจำนวนมาก",
    "ซัมซุง",
    "arjin"
  ],
  "textContent": "Samsung เริ่มส่งมอบชิปหน่วยความจำ HBM4E 12 เลเยอร์ ให้ลูกค้าทดสอบแล้ว เป็นรายแรกในอุตสาหกรรม\n\nBody\n\nซัมซุงประกาศว่าเริ่มส่งมอบชิปหน่วยความจำขั้นสูง HBM4E แบบ 12 เลเยอร์ ให้กับลูกค้าเพื่อนำไปทดสอบแล้ว ซึ่งระบุว่าเป็นรายแรกในอุตสาหกรรม หลังจากเริ่มจัดส่ง HBM4 แบบจำนวนมากให้ลูกค้าเมื่อต้นปี\n\nชิป HBM4E ของซัมซุงรองรับการส่งข้อมูลที่ระดับ 14 Gbps และปรับให้สูงสุดได้ถึง 16 Gbps เพิ่มขึ้นมากกว่า 20% จากชิป HBM4 แบนด์วิธหน่วยความจำต่อสแต็กอยู่ที่ 3.6 TB/s ความจุ 48GB และเตรียมขยายตัวเลือกให้ครอบคลุมทั้งแบบ 8 เลเยอร์ 32GB และ 16 เลเยอร์ 64GB ส่วนประสิทธิภาพการจัดการพลังทำได้ดีขึ้น 16%\n\nHBM4E ใช้กระบวนการผลิตแบบรุ่น 6 ขนาด 10 นาโนเมตร มีฐานเป็นชิปลอจิกเทคโนโลยี 4 นาโนเมตร\n\nที่มา: ซัมซุง\n\narjin Sat, 30/05/2026 - 14:27",
  "title": "Samsung เริ่มส่งมอบชิปหน่วยความจำ HBM4E 12 เลเยอร์ ให้ลูกค้าทดสอบแล้ว เป็นรายแรกในอุตสาหกรรม"
}