Intel muestra su apuesta contra HBM (HB3DM): memoria ZAM apilada en 9 capas y sustratos DRAM de solo 3 µm

Intel ha enseñado su apuesta contra la memoria HBM con su nueva HB3DM, una memoria apilada basada en ZAM (Z-Angle Memory) que como ya vimos en su preview, cambia el enfoque clásico de los módulos de memoria de alto ancho de banda. La idea pasa por colocar la memoria en vertical, con un stack de La entrada Intel muestra su apuesta contra HBM (HB3DM): memoria ZAM apilada en 9 capas y sustratos DRAM de solo 3 µm aparece primero en El Chapuzas Informático.